Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1351Y
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KTD1351Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTD1351Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1351 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des KTD1351GR im Bereich von 150 bis 300, die des KTD1351O im Bereich von 60 bis 120.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD1351Y ist der KTB988Y.
SMD-Version des Transistors KTD1351Y
Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTD1351Y-Transistors.