Bipolartransistor 2SD613

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD613

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 85 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD613

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD613 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD613-C liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD613-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD613-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD613-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD613-Transistor könnte nur mit "D613" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD613 ist der 2SB633.

SMD-Version des Transistors 2SD613

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD613-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD613

Sie können den Transistor 2SD613 durch einen 2SD823, BD243C, BD801, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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