Bipolartransistor 2SD1267

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1267

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1267

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1267 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1267-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1267-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD1267-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1267-Transistor könnte nur mit "D1267" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1267 ist der 2SB942.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1267

Sie können den Transistor 2SD1267 durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD823, 2SD857, 2SD857A, BD203, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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