Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1411A
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1411A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1411A kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1411A-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1411A-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1411A-Transistor könnte nur mit "D1411A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1411A ist der 2SB1018A.
