Bipolartransistor 2SD812

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD812

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD812

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD812 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD812-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD812-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD812-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD812-Transistor könnte nur mit "D812" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD812 ist der 2SB747.

SMD-Version des Transistors 2SD812

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD812-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD812

Sie können den Transistor 2SD812 durch einen 2SC1986, 2SC2334, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD569, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, KSC2334, KSD363, KSD569, KTD2059, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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