Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD613-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 85 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD613-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD613-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD613 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SD613-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD613-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD613-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD613-E-Transistor könnte nur mit "D613-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD613-E ist der 2SB633-E.
SMD-Version des Transistors 2SD613-E
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD613-E-Transistors.
