Bipolartransistor BD955

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD955

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD955

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD955 ist der BD956.

SMD-Version des Transistors BD955

Der BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD955-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD955

Sie können den Transistor BD955 durch einen 2N6533, 2SC2527, 2SC3834, 2SC4153, 2SD363, 2SD363-O, 2SD363-R, 2SD363-Y, BD539D, BD651, BDT63C, BDT65C, BDT87, BDT87F, BDW43, BDW63D, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSD363, KSD363-O, KSD363-R, KSD363-Y, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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