Bipolartransistor 2SC4550

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4550

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SC4550

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC4550 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4550-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC4550-L im Bereich von 150 bis 300, die des 2SC4550-M im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4550-Transistor könnte nur mit "C4550" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC4550 ist der 2SA1742.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC4550

Sie können den Transistor 2SC4550 durch einen 2SC4551, 2SC4552, BD203, BD303, BD535, BD537, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028 oder MJE15028G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com