Bipolartransistor BDT85

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT85 ist der BDT86.Sie können den Transistor BDT85 durch einen BD545C, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.