Bipolartransistor BD939
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD939
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 30 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD939
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors BD939
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD939
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