Bipolartransistor BD939

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD939

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD939

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD939 ist der BD940.

SMD-Version des Transistors BD939

Der BDP953 (SOT-223) und BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD939-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD939

Sie können den Transistor BD939 durch einen 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD241C, BD243C, BD539C, BD539D, BD801, BD939F, BD941, BD941F, BD953, BD955, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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