Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1351GR
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KTD1351GR
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTD1351GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1351 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des KTD1351O im Bereich von 60 bis 120, die des KTD1351Y im Bereich von 100 bis 200.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD1351GR ist der KTB988GR.
SMD-Version des Transistors KTD1351GR
Der BDP949 (SOT-223) und FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des KTD1351GR-Transistors.