Bipolartransistor 2SD856A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD856A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD856A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD856A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD856A-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD856A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD856A-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD856A-Transistor könnte nur mit "D856A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD856A ist der 2SB761A.

SMD-Version des Transistors 2SD856A

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD856A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD856A

Sie können den Transistor 2SD856A durch einen 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD857A, BD241B, BD241C, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD937, BD937F, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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