Bipolartransistor BD801
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD801
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 65 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD801
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BD801 ist der
BD802.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD801
Sie können den Transistor BD801 durch einen
2N6045,
2N6045G,
2N6531,
2N6532,
2N6533,
2SC2527,
2SD1196,
2SD1830,
BD543C,
BD545C,
BD649,
BD651,
BD901,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65B,
BDT65C,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP102,
TIP102G,
TIP132,
TIP132G oder
TIP142T ersetzen.
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