Bipolartransistor BD545B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD545B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 85 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD545B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD545B ist der BD546B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD545B

Sie können den Transistor BD545B durch einen BD545C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.
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