Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD2012-Y
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KSD2012-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD2012-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD2012 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KSD2012-G im Bereich von 150 bis 320.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD2012-Y ist der KSB1366-Y.
SMD-Version des Transistors KSD2012-Y
Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSD2012-Y-Transistors.