Bipolartransistor KSD569
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD569
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Electrically Similar to the Popular 2SD569 transistor
Pinbelegung des KSD569
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD569
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com