Bipolartransistor BDT95

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT95

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
Verlustleistung, max: 90 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT95

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT95 ist der BDT96.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT95

Sie können den Transistor BDT95 durch einen BDT95F ersetzen.

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