Bipolartransistor BDP949

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 475
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der BDP949-Transistor ist als "BDP949" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDP949 ist der BDP950.Sie können den Transistor BDP949 durch einen BDP951, BDP953, BDP955 oder NZT44H8 ersetzen.