Bipolartransistor KTD1351

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1351

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KTD1351

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD1351 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1351GR liegt im Bereich von 150 bis 300, die des KTD1351O im Bereich von 60 bis 120, die des KTD1351Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD1351 ist der KTB988.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD1351

Sie können den Transistor KTD1351 durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1134, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1354, 2SD1406, 2SD1761, 2SD313, 2SD613, 2SD823, 2SD880, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1406, KSD2058, KSD880, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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