Bipolartransistor BD937
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD937
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 30 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD937
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BD937 ist der
BD938.
SMD-Version des Transistors BD937
Der
BDP951 (SOT-223) und
BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD937-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD937
Sie können den Transistor BD937 durch einen
2SC1986,
2SC2075,
2SC3851A,
2SD1267A,
2SD1274,
2SD1274A,
2SD1274B,
2SD613,
2SD772,
2SD792,
2SD823,
2SD856A,
2SD857A,
BD241B,
BD241C,
BD243B,
BD243C,
BD537,
BD539B,
BD539C,
BD539D,
BD799,
BD801,
BD809,
BD937F,
BD939,
BD939F,
BD941,
BD941F,
BD951,
BD953,
BD955,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDX77,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E oder
TIP42F ersetzen.
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