Bipolartransistor KTD2059

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD2059

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SD2059 transistor

Pinbelegung des KTD2059

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD2059 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD2059O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KTD2059R im Bereich von 40 bis 80, die des KTD2059Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD2059 ist der KTB1367.

SMD-Version des Transistors KTD2059

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTD2059-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD2059

Sie können den Transistor KTD2059 durch einen 2SC2334, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD801, BD953, BD955, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, KSC2334, KSD363, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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