Bipolartransistor BD941

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD941

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD941

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD941 ist der BD942.

SMD-Version des Transistors BD941

Der BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD941-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD941

Sie können den Transistor BD941 durch einen 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD539D, BD941F, BD955, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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