Bipolartransistor 2SD1270

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1270 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1270-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1270-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1270-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1270-Transistor könnte nur mit "D1270" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1270 ist der 2SB945.Sie können den Transistor 2SD1270 durch einen 2SC1986, 2SD1271, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD866, 2SD866A, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.