Bipolartransistor MJE15028G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15028G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15028G ist die bleifreie Version des MJE15028-Transistors

Pinbelegung des MJE15028G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE15028G ist der MJE15029G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15028G

Sie können den Transistor MJE15028G durch einen 2N6533, 2SC2527, BD651, BDT63C, BDT65C, BDT87, BDT87F, BDW43, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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