Bipolartransistor BDT87F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT87F

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 36 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT87F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT87F ist der BDT88F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT87F

Sie können den Transistor BDT87F durch einen BDT87 oder BDW43 ersetzen.

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