Bipolartransistor BDT91F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT91F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 32 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT91F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT91F ist der BDT92F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT91F

Sie können den Transistor BDT91F durch einen BDT91, BDT93, BDT93F, BDT95 oder BDT95F ersetzen.
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