Bipolartransistor 2SD2012
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2012
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
- Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD2012
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2012-Transistor könnte nur mit "
D2012" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum 2SD2012 ist der
2SB1375.
SMD-Version des Transistors 2SD2012
Der
BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD2012-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2012
Sie können den Transistor 2SD2012 durch einen
2SC1826,
2SC1985,
2SC1986,
2SC2075,
2SC3179,
2SC3851,
2SC3851A,
2SC4007,
2SC4008,
2SC4550,
2SC4551,
2SC4552,
2SD1134,
2SD1266,
2SD1266A,
2SD1274,
2SD1274A,
2SD1274B,
2SD1761,
2SD2061,
2SD2394,
2SD313,
2SD613,
2SD823,
BD203,
BD241A,
BD241B,
BD241C,
BD243A,
BD243B,
BD243C,
BD303,
BD535,
BD537,
BD539A,
BD539B,
BD539C,
BD539D,
BD543A,
BD543B,
BD543C,
BD545A,
BD545B,
BD545C,
BD797,
BD799,
BD801,
BD807,
BD809,
BD949,
BD951,
BD953,
BD955,
BDT81,
BDT81F,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
D44H8,
KSD2012,
MJE15028,
MJE15028G,
TIP41D oder
TIP42D ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com
