Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1266A
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1266A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1266A kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1266A-O liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD1266A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1266A-Q im Bereich von 70 bis 150.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1266A-Transistor könnte nur mit "D1266A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1266A ist der 2SB941A.
SMD-Version des Transistors 2SD1266A
Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1266A-Transistors.
