Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4551-M
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SC4551-M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC4551-M kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4551 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SC4551-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC4551-L im Bereich von 150 bis 300.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4551-M-Transistor könnte nur mit "C4551-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC4551-M ist der 2SA1743-M.
