Bipolartransistor BD809
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD809
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 90 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD809
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BD809 ist der
BD810.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD809
Sie können den Transistor BD809 durch einen
2N6388,
2N6388G,
2SC2527,
2SC3346,
2SC3346-O,
2SC3346-Y,
2SC3710,
2SC3710-O,
2SC3710-Y,
2SC3710A,
2SC3710A-O,
2SC3710A-Y,
BD545B,
BD545C,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
D44H11,
D44H11FP,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP141T,
TIP142T oder
TTC3710B ersetzen.
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