Bipolartransistor BD939F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD939F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BD939 transistor

Pinbelegung des BD939F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD939F ist der BD940F.

SMD-Version des Transistors BD939F

Der BDP953 (SOT-223) und BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD939F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD939F

Sie können den Transistor BD939F durch einen 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD241C, BD243C, BD539C, BD539D, BD801, BD939, BD941, BD941F, BD953, BD955, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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