Bipolartransistor KTC2018

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2018

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KTC2018

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2018 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2018-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KTC2018-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2018 ist der KTA1038.

SMD-Version des Transistors KTC2018

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2018-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC2018

Sie können den Transistor KTC2018 durch einen 2SC2334, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, 2SD866A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD801, BD953, BD955, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, KSC2334, KSD363, KTC2028, KTD2059, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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