Bipolartransistor 2SD857

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD857 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD857-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD857-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD857-R im Bereich von 40 bis 90.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD857-Transistor könnte nur mit "D857" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD857 ist der 2SB762.Sie können den Transistor 2SD857 durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1267, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD823, 2SD857A, BD203, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.