Bipolartransistor BD941F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD941F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BD941 transistor

Pinbelegung des BD941F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD941F ist der BD942F.

SMD-Version des Transistors BD941F

Der BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD941F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD941F

Sie können den Transistor BD941F durch einen 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD539D, BD941, BD955, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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