Bipolartransistor KSD1406

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1406

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1406 transistor

Pinbelegung des KSD1406

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1406 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1406-G liegt im Bereich von 150 bis 300, die des KSD1406-O im Bereich von 60 bis 120, die des KSD1406-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1406 ist der KSB1015.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1406

Sie können den Transistor KSD1406 durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1134, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1354, 2SD1406, 2SD1761, 2SD313, 2SD613, 2SD823, 2SD880, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD2058, KSD880, KTD1351, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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