Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1351O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KTD1351O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTD1351O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1351 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des KTD1351GR im Bereich von 150 bis 300, die des KTD1351Y im Bereich von 100 bis 200.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD1351O ist der KTB988O.