Bipolartransistor BDT87

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT87

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT87

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT87 ist der BDT88.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT87

Sie können den Transistor BDT87 durch einen BDT87F oder BDW43 ersetzen.

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