Bipolartransistor BDT95F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT95F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 32 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT95F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT95F ist der BDT96F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT95F

Sie können den Transistor BDT95F durch einen BDT95 ersetzen.
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