Bipolartransistor 2SD1411

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1411

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1411

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1411 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1411-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1411-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1411-Transistor könnte nur mit "D1411" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1411 ist der 2SB1018.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1411

Sie können den Transistor 2SD1411 durch einen 2SC2334, 2SC3346, 2SC3710, 2SC3710A, 2SD1271, 2SD1362, 2SD1411A, 2SD866, 2SD866A, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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