Bipolartransistor KSD363

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD363

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD363 transistor

Pinbelegung des KSD363

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD363 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD363-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KSD363-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSD363-Y im Bereich von 120 bis 240.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD363

Sie können den Transistor KSD363 durch einen 2SD363, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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