Bipolartransistor 2SD1362

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1362

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1362

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1362 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1362-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1362-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1362-Transistor könnte nur mit "D1362" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1362 ist der 2SB992.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1362

Sie können den Transistor 2SD1362 durch einen 2SC2334, 2SC3346, 2SC3710, 2SC3710A, 2SD1271, 2SD1411, 2SD1411A, 2SD866, 2SD866A, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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