Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1761-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1761-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1761-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1761 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1761-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1761-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1761-E-Transistor könnte nur mit "D1761-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1761-E ist der 2SB1187-E.
SMD-Version des Transistors 2SD1761-E
Der NZT560 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1761-E-Transistors.