Bipolartransistor BD807

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD807

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD807

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD807 ist der BD808.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD807

Sie können den Transistor BD807 durch einen 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2SC2527, 2SC3255, 2SC3255-Q, 2SC3255-R, 2SC3255-S, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3346-Y, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710-Y, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SC3710A-Y, 2SC3748, 2SC3748-Q, 2SC3748-R, 2SC3748-S, 2SC4551, 2SC4551-K, 2SC4551-L, 2SC4551-M, 2SC4552, 2SC4552-K, 2SC4552-L, 2SC4552-M, 2SD1192, 2SD1827, BD545A, BD545B, BD545C, BD809, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93A, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJF6388, MJF6388G, TIP140T, TIP141T, TIP142T oder TTC3710B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com