Bipolartransistor BD807
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD807
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 90 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD807
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BD807 ist der
BD808.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD807
Sie können den Transistor BD807 durch einen
2N6387,
2N6387G,
2N6388,
2N6388G,
2SC2527,
2SC3255,
2SC3255-Q,
2SC3255-R,
2SC3255-S,
2SC3346,
2SC3346-O,
2SC3346-Y,
2SC3710,
2SC3710-O,
2SC3710-Y,
2SC3710A,
2SC3710A-O,
2SC3710A-Y,
2SC3748,
2SC3748-Q,
2SC3748-R,
2SC3748-S,
2SC4551,
2SC4551-K,
2SC4551-L,
2SC4551-M,
2SC4552,
2SC4552-K,
2SC4552-L,
2SC4552-M,
2SD1192,
2SD1827,
BD545A,
BD545B,
BD545C,
BD809,
BDT63,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDT81,
BDT81F,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW40,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW93A,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33A,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
D44H11,
D44H11FP,
D44H8,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP140T,
TIP141T,
TIP142T oder
TTC3710B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com