Bipolartransistor BD937F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD937F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BD937 transistor

Pinbelegung des BD937F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD937F ist der BD938F.

SMD-Version des Transistors BD937F

Der BDP951 (SOT-223) und BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD937F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD937F

Sie können den Transistor BD937F durch einen 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD856A, 2SD857A, BD241B, BD241C, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD937, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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