Bipolartransistor BDT93

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 90 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT93 ist der BDT94.Sie können den Transistor BDT93 durch einen BDT93F, BDT95 oder BDT95F ersetzen.