Bipolartransistor 2SD857A

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD857A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD857A-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD857A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD857A-R im Bereich von 40 bis 90.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD857A-Transistor könnte nur mit "D857A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD857A ist der 2SB762A.Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD857A-Transistors.Sie können den Transistor 2SD857A durch einen 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.