Bipolartransistor KSD2012-G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSD2012-G kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD2012 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KSD2012-Y im Bereich von 100 bis 200.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD2012-G ist der KSB1366-G.Der BDP949 (SOT-223) und FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des KSD2012-G-Transistors.Sie können den Transistor KSD2012-G durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2012, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.