Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1366-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1366-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1366-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1366 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1366-Y im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1366-O-Transistor könnte nur mit "B1366-O" gekennzeichnet sein.