Bipolartransistor BDT96

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT96

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 90 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT96

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT96 ist der BDT95.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT96

Sie können den Transistor BDT96 durch einen BDT96F ersetzen.

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