Bipolartransistor BD938

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD938

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD938

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD938 ist der BD937.

SMD-Version des Transistors BD938

Der BDP952 (SOT-223) und BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD938-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD938

Sie können den Transistor BD938 durch einen 2SA1488A, 2SA771, 2SB633, 2SB761A, 2SB762A, 2SB942A, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com